新产品
SS8P2CL & SS8P3CL
威世通用半导体
高电流密度表面装载
肖特基整流器
eSMP
TM
系列
K
1
2
TO-277A (SMPC)
K
Cathode
Anode 1
Anode 2
特征
•非常低调-典型的高度1.1 mm
•非常适于自动贴片
•低正向压降，低功耗
损失
•高效率
•低热阻
•会见MSL每1,水平J-STD-020
•浸焊260 °C, 40 s
•组件按照RoHS 2002/95/EC
和WEEE 2002/96/EC
•
无卤素
机械数据
案例：
TO-277A (SMPC)
成型复合阻燃符合UL 94V-0
额定值.
相应的P / N-E3 - RoHS标准，商业级
相应的P / NHE3 - RoHS标准，高可靠性/
汽车级(AEC-Q101资格）
相应的P / N-M3 -无卤素和RoHS标准，
商业级
相应的P / NHM3 -无卤素和RoHS标准，
高可靠性/汽车级(AEC-Q101资格）
终端：
雾锡镀线索，每焊
J-STD-002和JESD22-B102
E3和M3后缀符合JESD 201 类别 1A晶须
测试，HE3和HM3后缀符合JESD 201 类别 2
晶须试验
初级特征
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
E
AS
V
F
在I
F
= 4 A
T
J
最大.
2 x 4.0 A
20 V, 30 V
120 A
20 mJ
0.41 V
150 °C
典型应用
适用于低电压高频率逆变器的使用，
随心所欲，dc-to-dc转换器，和极性
保护应用.
最大额定值
(T
A
= 25 °C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最高重复反向电压峰值
最大正向平均整流电流（图1)
设备总
每二极管
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
E
AS
T
J,
T
STG
符号
SS8P2CL
S82CL
20
8.0
4.0
120
20
- 55到+ 150
SS8P3CL
S83CL
30
V
A
A
mJ
°C
单位
峰值正向浪涌电流10 ms单一正弦半波叠加
在每个二极管额定负荷
非重复性在25 °C, I雪崩能量
AS
= 2每个二极管
工作结温和存储温度范围
文件编号：89030
修订：30-Jul-08
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