SPICE的器件模型Si5943DU
日前，Vishay Siliconix公司
双P沟道12-V（的D - S）的MOSFET
特征
•
P沟道垂直DMOS
•
宏模型（子电路模型）
•
级别3 MOS
•
同时申请线性和开关应用
•
在精确
−55
到125°C温度范围
•
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
该P -通道特性DMOS.垂直的子电路
模型的优化提取及以上
−55
到125°C
根据脉冲0-V温度范围为5-V栅极驱动.该
饱和输出阻抗是最适合在靠近大门偏置
阈值电压.
一种新型的gate-to-drain反馈电容网络是用来模型
栅极电荷特性，同时避免收敛困难
交换C
gd
模型.所有模型参数值进行了优化
提供最适合的测量电气参数，不
目的是作为一个确切的设备的物理解释.
子电路模型示意图
This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate
data sheet of the same number for guaranteed specification limits.
Document Number: 74177
S-61262Rev. A, 24-Jul-06
www.vishay.com
1
