晶闸管模块 非绝缘型 PWB60A PWB60A 晶闸管模块是一个低电压，3相recifier应用场合. I T(AV) 60A（每个装置） 高浪涌电流1800一个(60Hz) 施工方便 非隔离.安装终端基地作为共阳极 应用 焊接电源 各种DC电源 单位 A 最大额定值 符号 V RRM V RSM V DRM 符号 I T I T AV RMS 项目 重复峰值反向电压 非重复性峰值反向电压 重复峰值断态电压 项目 平均状态电流 R.M.S.通态电流 浪涌通态电流 I 2 t 峰值门功耗 平均功耗门 峰值栅电流 峰值栅极电压（转） 峰值栅极电压(R.M.S.) 通态电流上升率的关键 工作结温 贮藏温度 安装 扭矩 大众 安装M6 终端M5 额定值 PWB60A30 300 360 300 条件 单相半波，180传导，Tc 123 单相半波，180传导，Tc 123 1 2 周期， PWB60A40 400 480 400 额定值 60 94 1640 / 1800 13,500 10 1 3 10 5 单位 V V V 单位 A A A A 2 S W W A V V A / s I TSM I 2 t P GM P G AV 50Hz/60Hz, 峰值价值，非重复性 I FGM V FGM V RGM di dt Tj Tstg I G 150mA Tj 25 V D 1 2 V DRM dI G / dt 1A / s 30 30 50 150 125 推荐值2.5 3.9 25 40 推荐值1.5 2.5 15 25 4.7 48 2.7 28 170 N f B g 电气特性 符号 I DRM I RRM V TM I GT V GT V GD tgt dv dt I H Rth的J - 项目 重复峰值断态电流，最大. 重复峰值反向电流，最大. 峰值通态电压，最大. Gate Trigger Current/Voltage, 最大. 非触发门，电压. 最小. 开启时间，最大. 临界速率的断态电压，最小兴起. 保持电流，typ. 热阻抗，最大. 条件 在V DRM ,单相半波，Tj 150 在V DRM ,单相半波，Tj 150 通态电流180A, Tj 25 Tj 25 Tj 150 I T 1A V D 6V V D 1 2 V DRM 额定值 10 10 1.25 150 / 2 0.25 单位 mA mA V mA / V V s V / s mA / W 研究所.测量 I T 60A I G 150mA Tj 25 Tj 150 , V D Tj 25 结到外壳 1 dI G / dt 1A / s 2 V DRM ,指数波. 3 V D 2 V DRM 3 模块 1 10 50 100 0.35 53 晶闸管模块 非绝缘型 PWB60A PWB60A 晶闸管模块是一个低电压，3相recifier应用场合. I T(AV) 60A（每个装置） 高浪涌电流1800一个(60Hz) 施工方便 非隔离.安装终端基地作为共阳极 应用 焊接电源 各种DC电源 单位 A 最大额定值 符号 V RRM V RSM V DRM 符号 I T I T AV RMS 项目 重复峰值反向电压 非重复性峰值反向电压 重复峰值断态电压 项目 平均状态电流 R.M.S.通态电流 浪涌通态电流 I 2 t 峰值门功耗 平均功耗门 峰值栅电流 峰值栅极电压（转） 峰值栅极电压(R.M.S.) 通态电流上升率的关键 工作结温 贮藏温度 安装 扭矩 大众 安装M6 终端M5 额定值 PWB60A30 300 360 300 条件 单相半波，180传导，Tc 123 单相半波，180传导，Tc 123 1 2 周期， PWB60A40 400 480 400 额定值 60 94 1640 / 1800 13,500 10 1 3 10 5 单位 V V V 单位 A A A A 2 S W W A V V A / s I TSM I 2 t P GM P G AV 50Hz/60Hz, 峰值价值，非重复性 I FGM V FGM V RGM di dt Tj Tstg I G 150mA Tj 25 V D 1 2 V DRM dI G / dt 1A / s 30 30 50 150 125 推荐值2.5 3.9 25 40 推荐值1.5 2.5 15 25 4.7 48 2.7 28 170 N f B g 电气特性 符号 I DRM I RRM V TM I GT V GT V GD tgt dv dt I H Rth的J - 项目 重复峰值断态电流，最大. 重复峰值反向电流，最大. 峰值通态电压，最大. Gate Trigger Current/Voltage, 最大. 非触发门，电压. 最小. 开启时间，最大. 临界速率的断态电压，最小兴起. 保持电流，typ. 热阻抗，最大. 条件 在V DRM ,单相半波，Tj 150 在V DRM ,单相半波，Tj 150 通态电流180A, Tj 25 Tj 25 Tj 150 I T 1A V D 6V V D 1 2 V DRM 额定值 10 10 1.25 150 / 2 0.25 单位 mA mA V mA / V V s V / s mA / W 研究所.测量 I T 60A I G 150mA Tj 25 Tj 150 , V D Tj 25 结到外壳 1 dI G / dt 1A / s 2 V DRM ,指数波. 3 V D 2 V DRM 3 模块 1 10 50 100 0.35 53
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