晶闸管模块
PK
（钯，PE）
70FG
UL;E76102 M）
（
大功率可控硅/二极管模块
PK70FG
系列是专为各种整流电路
和电源控制.为了您的电路应用，经过内部连接和宽
电压额定值高达1600V可用.与电力绝缘安装底座使
您的机械设计容易.
２φ6．
- ０
２．
５０
１．
２０
92．
０
2 ． 2 ． 2 ．
００ ００ ００
１．
７５
３． ７． 3．
5 ５ 5
６５
．
MAX ２ ．
９０
K２G２
●
I
T(AV
)
70A, I
T(RMS)
110A, I
TSM
●
di/dt
●
dv/dt
1600A
内部配置
K2
G2
3
2
100A/
μs
1000V/
μs
M ×1
５ ０
K2
G2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
（Applications）
各种整流器
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
１０
３±
．
０
０．
５
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
1
１．
９５
４０
．
２８ 4-＃ １ TAB
．
１０
NAME PLATE
PK
K2
3
2
PE
８ ．± ．
００ ０２
1
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
K G
PD
Unit：
A
■Maximum
额定值
额定值
符号
项目
PK70FG40
PD70FG40
PE70FG40
400
480
400
PK70FG80
PD70FG80
PE70FG80
800
960
800
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定）
PK70FG120
PD70FG120
PE70FG120
1200
1300
1200
PK70FG160
PD70FG160
PE70FG160
1600
1700
1600
额定值
70
110
1460/1600
10660
10
1
3
10
5
I
G
＝100mA，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
di
μs
答：C. 1minute
100
2500
−40到＋125
−40到＋125
2.7（28）
2.7（28）
170
单位
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
＊Repetitive
峰值反向电压
＊Non-Repetitive
峰值反向电压
＊Repetitive
峰值断态电压
项目
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½�m
（㎏f�½�B）
g
（
I
T AV）
＊Average
通态电流
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
通态电流
单相半波，180°
传导，Tc＝84℃
单相半波，180°
传导，Tc＝84℃
1
／
2
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
通态电流
＊I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值栅极电压（转）
峰值栅极电压（反向）
崛起临界速率通态电流
＊Isolation
击穿电压
（R.M.S.）
＊Operating
结温
＊Storage
温度
安装
转矩
大众
周期，50/60H
Z
, 峰值价值，非重复性
价值为一个周期浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
安装
（M5）
推荐值1.5-2.5（15-25）
终端M5）推荐值1.5-2.5（15-25）
（
典型值
■Electrical
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
dv/dt
项目
重复峰值断态电流，最大
＊Repetitive
峰值反向电流，最大
＊On-state
电压，最大
门极触发电流，最大
门极触发电压，最大
门非触发电压，分
临界速率的断态电压，最小的崛起
条件
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
I
T
＝210A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
结到外壳
额定值
20
20
1.6
50
3
0.25
1000
0.37
单位
mA
mA
V
mA
V
V
V/
μs
℃/W
Rth j-c）＊Thermal阻抗，最大
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
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晶闸管模块
PK
（钯，PE）
70FG
UL;E76102 M）
（
大功率可控硅/二极管模块
PK70FG
系列是专为各种整流电路
和电源控制.为了您的电路应用，经过内部连接和宽
电压额定值高达1600V可用.与电力绝缘安装底座使
您的机械设计容易.
２φ6．
- ０
２．
５０
１．
２０
92．
０
2 ． 2 ． 2 ．
００ ００ ００
１．
７５
３． ７． 3．
5 ５ 5
６５
．
MAX ２ ．
９０
K２G２
●
I
T(AV
)
70A, I
T(RMS)
110A, I
TSM
●
di/dt
●
dv/dt
1600A
内部配置
K2
G2
3
2
100A/
μs
1000V/
μs
M ×1
５ ０
K2
G2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
（Applications）
各种整流器
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
１０
３±
．
０
０．
５
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
1
１．
９５
４０
．
２８ 4-＃ １ TAB
．
１０
NAME PLATE
PK
K2
3
2
PE
８ ．± ．
００ ０２
1
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
K G
PD
Unit：
A
■Maximum
额定值
额定值
符号
项目
PK70FG40
PD70FG40
PE70FG40
400
480
400
PK70FG80
PD70FG80
PE70FG80
800
960
800
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定）
PK70FG120
PD70FG120
PE70FG120
1200
1300
1200
PK70FG160
PD70FG160
PE70FG160
1600
1700
1600
额定值
70
110
1460/1600
10660
10
1
3
10
5
I
G
＝100mA，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
di
μs
答：C. 1minute
100
2500
−40到＋125
−40到＋125
2.7（28）
2.7（28）
170
单位
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
＊Repetitive
峰值反向电压
＊Non-Repetitive
峰值反向电压
＊Repetitive
峰值断态电压
项目
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½�m
（㎏f�½�B）
g
（
I
T AV）
＊Average
通态电流
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
通态电流
单相半波，180°
传导，Tc＝84℃
单相半波，180°
传导，Tc＝84℃
1
／
2
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
通态电流
＊I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值栅极电压（转）
峰值栅极电压（反向）
崛起临界速率通态电流
＊Isolation
击穿电压
（R.M.S.）
＊Operating
结温
＊Storage
温度
安装
转矩
大众
周期，50/60H
Z
, 峰值价值，非重复性
价值为一个周期浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
安装
（M5）
推荐值1.5-2.5（15-25）
终端M5）推荐值1.5-2.5（15-25）
（
典型值
■Electrical
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
dv/dt
项目
重复峰值断态电流，最大
＊Repetitive
峰值反向电流，最大
＊On-state
电压，最大
门极触发电流，最大
门极触发电压，最大
门非触发电压，分
临界速率的断态电压，最小的崛起
条件
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
Tj＝125℃，V
D
＝V
DRM
I
T
＝210A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
结到外壳
额定值
20
20
1.6
50
3
0.25
1000
0.37
单位
mA
mA
V
mA
V
V
V/
μs
℃/W
Rth j-c）＊Thermal阻抗，最大
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
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