晶闸管模块
PK
（钯，PE）
200HB
UL;E76102 M）
（
大功率可控硅/二极管模块
PK200HB
系列是专为各种整流器
电路和电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接
宽电压额定值高达1,600V可用.
隔离安装基座
●
I
T AV）
200A, I
T RMS）
310A, I
TSM
5500A
（
（
●
di/dt 200的A / μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
各种整流器
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
92
12
26
26
7
4- （M5）
φ6
5 12 5
K1G1 K2G2
18
2
M8×14
♯110TAB
（2.8.0.5T）
K2
G2
3
2
60
48
24
R8.0
5 2
80±0.3
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
1
PK
PD
PE
■Maximum
额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
项目
＊Repetitive
峰值反向电压
＊Non-Repetitive
峰值反向电压
重复峰值断态电压
项目
PK200HB120
PE200HB120
额定值
PD200HB120
PK200HB160
PE200HB160
PD200HB160
单位
V
V
V
额定值
200
310
5000/5500
125000
10
3
3
10
5
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
dI
μs
答：C. 1分钟
200
2500
−40到＋125
−40到＋125
2.7（28）
11（115）
510
推荐值8.8-10
（90-105）
典型值
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
1200
1300
1200
条件
单相半波，180°
传导，Tc：74℃
单相半波，180°
传导，Tc：74℃
1
周期，
／
2
1600
1700
1600
（
I
T AV）
＊Average
通态电流
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
通态电流
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
通态电流
＊I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值门Voltage（Forward）
峰值门Voltage（Reverse）
通态电流上升率的关键
＊Isolation
击穿Voltage（R.M.S.）
＊Operating
结温
＊Storage
温度
安装
转矩
大众
50Hz/60Hz, 峰值价值，非reqetitive
价值为一周期的浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
Mounting（M5）推荐值1.5-2.5（15-25）
Terminal（M8）
■Electrical
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
tgt
dv/dt
I
H
I
L
项目
重复峰值断态电流，最大.
＊Repetitive
峰值反向电流，最大.
＊Peak
通态电压，最大.
Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
非触发门，电压. 最小.
开启时间，最大.
临界速率的断态电压，最小兴起.
保持电流，typ.
Lutching电流，typ.
条件
在V
DRM
,单相，半波，Tj＝125℃
在V
DRM
,单相，半波，Tj＝125℃
通态电流750A, Tj＝125℃研究所.测量
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝250A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/μs
V
／
dI
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，Exponential
波.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳
额定值
50
50
1.50
100/3
0.25
10
500
50
100
0.18
单位
mA
mA
V
mA /视频
V
μs
V/
μs
mA
mA
℃/W
Rth日本三）
＊Thermal
阻抗，最大.
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
三社50海景Blvd.华盛顿港，NY 11050-4618 PH.(516)625-1313传真（516）625-8845电子邮件：semi@sanrex.com
33
K2
K2
G2
42max
34max
Unit：A
晶闸管模块
PK
（钯，PE）
200HB
UL;E76102 M）
（
大功率可控硅/二极管模块
PK200HB
系列是专为各种整流器
电路和电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接
宽电压额定值高达1,600V可用.
隔离安装基座
●
I
T AV）
200A, I
T RMS）
310A, I
TSM
5500A
（
（
●
di/dt 200的A / μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
各种整流器
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
92
12
26
26
7
4- （M5）
φ6
5 12 5
K1G1 K2G2
18
2
M8×14
♯110TAB
（2.8.0.5T）
K2
G2
3
2
60
48
24
R8.0
5 2
80±0.3
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
3
2
A1K2
（K2）
K1
（A2）
1
PK
PD
PE
■Maximum
额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
项目
＊Repetitive
峰值反向电压
＊Non-Repetitive
峰值反向电压
重复峰值断态电压
项目
PK200HB120
PE200HB120
额定值
PD200HB120
PK200HB160
PE200HB160
PD200HB160
单位
V
V
V
额定值
200
310
5000/5500
125000
10
3
3
10
5
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
dI
μs
答：C. 1分钟
200
2500
−40到＋125
−40到＋125
2.7（28）
11（115）
510
推荐值8.8-10
（90-105）
典型值
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
1200
1300
1200
条件
单相半波，180°
传导，Tc：74℃
单相半波，180°
传导，Tc：74℃
1
周期，
／
2
1600
1700
1600
（
I
T AV）
＊Average
通态电流
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
通态电流
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
通态电流
＊I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值门Voltage（Forward）
峰值门Voltage（Reverse）
通态电流上升率的关键
＊Isolation
击穿Voltage（R.M.S.）
＊Operating
结温
＊Storage
温度
安装
转矩
大众
50Hz/60Hz, 峰值价值，非reqetitive
价值为一周期的浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
Mounting（M5）推荐值1.5-2.5（15-25）
Terminal（M8）
■Electrical
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
tgt
dv/dt
I
H
I
L
项目
重复峰值断态电流，最大.
＊Repetitive
峰值反向电流，最大.
＊Peak
通态电压，最大.
Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
非触发门，电压. 最小.
开启时间，最大.
临界速率的断态电压，最小兴起.
保持电流，typ.
Lutching电流，typ.
条件
在V
DRM
,单相，半波，Tj＝125℃
在V
DRM
,单相，半波，Tj＝125℃
通态电流750A, Tj＝125℃研究所.测量
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝250A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/μs
V
／
dI
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，Exponential
波.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳
额定值
50
50
1.50
100/3
0.25
10
500
50
100
0.18
单位
mA
mA
V
mA /视频
V
μs
V/
μs
mA
mA
℃/W
Rth日本三）
＊Thermal
阻抗，最大.
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
三社50海景Blvd.华盛顿港，NY 11050-4618 PH.(516)625-1313传真（516）625-8845电子邮件：semi@sanrex.com
33
K2
K2
G2
42max
34max
Unit：A
