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  • IC型号:KK90HB
    IC描述:晶闸管模块
    英文原版数据手册:KK90HB Datasheet

     
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    KK90HB datasheet
    晶闸管模块
    PK
    (钯,PE,KK)
    90GB
    UL;E76102 M)
    大功率可控硅/二极管模块
    PK90GB
    系列是专为各种整流电路
    和电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接和宽
    电压额定值高达800V可用.与电力绝缘安装底座使
    您的机械设计容易.
    26MAX
    93.5MAX
    80
    3
    2
    +
    1
    K2
    G2
    2- 6.5
    200 A/μs
    dv/dt 500V/μs
    (Applications)
    各种整流器
    AC/DC电机驱动器
    加热器控制
    调光器
    静态开关
    di/dt
    16.5
    23
    23
    K2
    G2
    3
    2
    A1K2
    (K2)
    K1
    (A2) G1
    1
    K2
    G2
    3
    2
    K1
    G1
    内部配置
    13
    I
    T(AV)
    90A, I
    T(RMS)
    140A, I
    TSM
    1800A
    ~
    3-M5
    A1K2
    (K2)
    K1
    (A2)
    1
    110TAB
    30MAX
    K2
    3
    2
    2
    K2
    G2
    K1
    (A2) G1
    1
    A1K2
    (K2)
    K1
    (A2) G1
    1
    1
    (A1)
    21
    PK
    PE
    PD
    KK
    Unit:
    A
    ■Maximum
    额定值
    额定值
    符号
    V
    RRM
    V
    RSM
    V
    DRM
    符号
    项目
    *Repetitive
    峰值反向电压
    *Non-Repetitive
    峰值反向电压
    *Non-Repetitive
    峰值反向电压
    项目
    PK90GB40 PD90GB40
    KK90GB40 PE90GB40
    400
    480
    400
    条件
    单相半波,180°
    传导,Tc:88℃
    单相半波,180°
    传导,Tc:88℃
    1
    周期,
    2
    PK90GB80 PD90GB80
    KK90GB80 PE90GB80
    800
    960
    800
    额定值
    90
    140
    1650
    /
    1800
    15000
    10
    3
    3
    10
    5
    单位
    V
    V
    V
    单位
    A
    A
    A
    A
    2
    S
    W
    W
    A
    V
    V
    A
    /
    μs
    V
    N�½��½�
    (㎏f�½�B)
    g
    I
    T AV)
    *Average
    通态电流
    I
    T RMS)
    *R.M.S.
    通态电流
    I
    TSM
    I
    2
    t
    P
    GM
    (AV)
    P
    G
    *Surge
    通态电流
    *I
    2
    t
    峰值门功耗
    平均功耗门
    峰值栅电流
    峰值栅极电压(转)
    峰值栅极电压(反向)
    通态电流上升率的关键
    *Isolation
    击穿电压(R.M.S.)
    *Operating
    结温
    *Storage
    温度
    安装
    转矩
    大众
    安装
    (M6)
    Terminal(M5)
    50Hz/60Hz, 峰值价值,非重复性
    价值为一周期的浪涌电流
    I
    FGM
    V
    FGM
    V
    RGM
    di/dt
    V
    ISO
    Tj
    Tstg
    I
    G
    =100mA,
    Tj=25℃,
    D
    1 2
    V
    DRM
    G
    /
    dt=0.1A
    /
    V
    dI
    μs
    A.C.1minute
    200
    2500
    −40到+125
    −40到+125
    推荐值2.5-3.9(25-40)
    推荐值1.5-2.5(15-25)
    4.7(48)
    2.7(28)
    170
    ■Electrical
    特征
    符号
    I
    DRM
    I
    RRM
    V
    TM
    I
    GT
    /V
    GT
    V
    GD
    tgt
    dv/dt
    I
    H
    I
    L
    项目
    重复峰值断态电流,最大.
    *Repetitive
    峰值反向电流,最大.
    *Peak
    通态电压,最大.
    Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
    非触发门,电压. 最小.
    开启时间,最大.
    临界速率的断态电压,最小兴起.
    保持电流,typ.
    Lutching电流,typ.
    条件
    在V
    DRM
    ,单相半波,Tj=125℃
    在V
    DRM
    ,单相半波,Tj=125℃
    通态电流270A, Tj=125℃研究所.测量
    Tj=25℃,I
    T
    =1A,V
    D
    =6V
    Tj=125℃,V
    D
    1 2
    V
    DRM
    I
    T
    =90A,
    G
    =100mA,
    I
    Tj=25℃,
    D
    1 2
    V
    DRM
    G
    /
    dt=0.1A
    /
    V
    dI
    μs
    Tj=125℃, V
    D
    2 3
    V
    DRM
    ,指数波.
    Tj=25℃
    Tj=25℃
    结到外壳
    额定值
    15
    15
    1.30
    100
    /
    3
    0.25
    10
    500
    50
    100
    0.30
    单位
    mA
    mA
    V
    mA
    /
    V
    V
    μs
    V
    /
    μs
    mA
    mA
    /
    W
    Rth j-c)*Thermal阻抗,最大.
    *mark:Thyristor
    and Diode part. No mark:Thyristor part
    23
    KK90HB datasheet
    晶闸管模块
    PK
    (钯,PE,KK)
    90GB
    UL;E76102 M)
    大功率可控硅/二极管模块
    PK90GB
    系列是专为各种整流电路
    和电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接和宽
    电压额定值高达800V可用.与电力绝缘安装底座使
    您的机械设计容易.
    26MAX
    93.5MAX
    80
    3
    2
    +
    1
    K2
    G2
    2- 6.5
    200 A/μs
    dv/dt 500V/μs
    (Applications)
    各种整流器
    AC/DC电机驱动器
    加热器控制
    调光器
    静态开关
    di/dt
    16.5
    23
    23
    K2
    G2
    3
    2
    A1K2
    (K2)
    K1
    (A2) G1
    1
    K2
    G2
    3
    2
    K1
    G1
    内部配置
    13
    I
    T(AV)
    90A, I
    T(RMS)
    140A, I
    TSM
    1800A
    ~
    3-M5
    A1K2
    (K2)
    K1
    (A2)
    1
    110TAB
    30MAX
    K2
    3
    2
    2
    K2
    G2
    K1
    (A2) G1
    1
    A1K2
    (K2)
    K1
    (A2) G1
    1
    1
    (A1)
    21
    PK
    PE
    PD
    KK
    Unit:
    A
    ■Maximum
    额定值
    额定值
    符号
    V
    RRM
    V
    RSM
    V
    DRM
    符号
    项目
    *Repetitive
    峰值反向电压
    *Non-Repetitive
    峰值反向电压
    *Non-Repetitive
    峰值反向电压
    项目
    PK90GB40 PD90GB40
    KK90GB40 PE90GB40
    400
    480
    400
    条件
    单相半波,180°
    传导,Tc:88℃
    单相半波,180°
    传导,Tc:88℃
    1
    周期,
    2
    PK90GB80 PD90GB80
    KK90GB80 PE90GB80
    800
    960
    800
    额定值
    90
    140
    1650
    /
    1800
    15000
    10
    3
    3
    10
    5
    单位
    V
    V
    V
    单位
    A
    A
    A
    A
    2
    S
    W
    W
    A
    V
    V
    A
    /
    μs
    V
    N�½��½�
    (㎏f�½�B)
    g
    I
    T AV)
    *Average
    通态电流
    I
    T RMS)
    *R.M.S.
    通态电流
    I
    TSM
    I
    2
    t
    P
    GM
    (AV)
    P
    G
    *Surge
    通态电流
    *I
    2
    t
    峰值门功耗
    平均功耗门
    峰值栅电流
    峰值栅极电压(转)
    峰值栅极电压(反向)
    通态电流上升率的关键
    *Isolation
    击穿电压(R.M.S.)
    *Operating
    结温
    *Storage
    温度
    安装
    转矩
    大众
    安装
    (M6)
    Terminal(M5)
    50Hz/60Hz, 峰值价值,非重复性
    价值为一周期的浪涌电流
    I
    FGM
    V
    FGM
    V
    RGM
    di/dt
    V
    ISO
    Tj
    Tstg
    I
    G
    =100mA,
    Tj=25℃,
    D
    1 2
    V
    DRM
    G
    /
    dt=0.1A
    /
    V
    dI
    μs
    A.C.1minute
    200
    2500
    −40到+125
    −40到+125
    推荐值2.5-3.9(25-40)
    推荐值1.5-2.5(15-25)
    4.7(48)
    2.7(28)
    170
    ■Electrical
    特征
    符号
    I
    DRM
    I
    RRM
    V
    TM
    I
    GT
    /V
    GT
    V
    GD
    tgt
    dv/dt
    I
    H
    I
    L
    项目
    重复峰值断态电流,最大.
    *Repetitive
    峰值反向电流,最大.
    *Peak
    通态电压,最大.
    Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
    非触发门,电压. 最小.
    开启时间,最大.
    临界速率的断态电压,最小兴起.
    保持电流,typ.
    Lutching电流,typ.
    条件
    在V
    DRM
    ,单相半波,Tj=125℃
    在V
    DRM
    ,单相半波,Tj=125℃
    通态电流270A, Tj=125℃研究所.测量
    Tj=25℃,I
    T
    =1A,V
    D
    =6V
    Tj=125℃,V
    D
    1 2
    V
    DRM
    I
    T
    =90A,
    G
    =100mA,
    I
    Tj=25℃,
    D
    1 2
    V
    DRM
    G
    /
    dt=0.1A
    /
    V
    dI
    μs
    Tj=125℃, V
    D
    2 3
    V
    DRM
    ,指数波.
    Tj=25℃
    Tj=25℃
    结到外壳
    额定值
    15
    15
    1.30
    100
    /
    3
    0.25
    10
    500
    50
    100
    0.30
    单位
    mA
    mA
    V
    mA
    /
    V
    V
    μs
    V
    /
    μs
    mA
    mA
    /
    W
    Rth j-c)*Thermal阻抗,最大.
    *mark:Thyristor
    and Diode part. No mark:Thyristor part
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