晶闸管模块
PK
（钯，PE，KK）
55GB
UL;E76102 M）
（
大功率可控硅/二极管模块
PK55GB
系列是专为各种整流电路
和电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接和宽
电压额定值高达800V可用.与电力绝缘安装底座使
您的机械设计容易.
26MAX
3
93.5MAX
80
2
+
–
1
K2
G2
2- 6.5
●
di/dt
150 A/μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
各种整流器
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
K2
G2
3
2
16.5
23
23
K1
G1
●
I
T(AV)
55A, I
T(RMS)
86A, I
TSM
1100A
13
~
3-M5
A1K2
（K2）
K1
（A2）
30MAX
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
K2
G2
3
2
1
110TAB
PK
K2
3
2
2
PE
K2
G2
K1
（A2） G1
1
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
1
（A1）
21
PD
KK
Unit：
A
■Maximum
额定值
额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
项目
＊Repetitive
峰值反向电压
＊Non-Repetitive
峰值反向电压
重复峰值断态电压
项目
PK55GB40 PD55GB40
KK55GB40 PE55GB40
400
480
400
条件
单相半波，180°
传导，Tc：89℃
单相半波，180°
传导，Tc：89℃
1
周期，
／
2
PK55GB80 PD55GB80
KK55GB80 PE55GB80
800
960
800
额定值
55
86
1000/1100
5000
10
3
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
（
I
T AV）
＊Average
通态电流
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
通态电流
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
通态电流
＊I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值栅极电压（转）
峰值栅极电压（反向）
通态电流上升率的关键
＊Isolation
击穿电压(R.M.S.)
＊Operating
结温
＊Storage
温度
安装
转矩
大众
安装
（M6）
Terminal（M5）
50Hz/60Hz, 峰值价值，非重复性
价值为一周期的浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di／dt
V
ISO
Tj
Tstg
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A
/
V
／
dI
μs
A.C.1minute
150
2500
−40到＋125
−40到＋125
推荐值2.5-3.9（25-40）
推荐值1.5-2.5（15-25）
4.7（48）
2.7（28）
170
■Electrical
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
／V
GT
V
GD
tgt
dv／dt
I
H
I
L
项目
重复峰值断态电流，最大.
＊Repetitive
峰值反向电流，最大.
＊Peak
通态电压，最大.
Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
非触发门，电压. 最小.
开启时间，最大.
临界速率的断态电压，最小兴起.
保持电流，typ.
Lutching电流，typ.
条件
在V
DRM
,单相半波，Tj＝125℃
在V
DRM
,单相半波，Tj＝125℃
通态电流165A, Tj＝125℃研究所.测量
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝55A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝0.1A
/
V
／
dI
μs
Tj＝125℃, V
D
＝
2 3
V
DRM
,指数波.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳
额定值
10
10
1.35
100
/
3
0.25
10
500
50
100
0.50
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V/
μs
mA
mA
℃
/
W
Rth j-c）＊Thermal阻抗，最大.
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
三社50海景Blvd.华盛顿港，NY 11050-4618 PH.(516)625-1313传真（516）625-8845电子邮件：semi@sanrex.com
晶闸管模块
PK
（钯，PE，KK）
55GB
UL;E76102 M）
（
大功率可控硅/二极管模块
PK55GB
系列是专为各种整流电路
和电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接和宽
电压额定值高达800V可用.与电力绝缘安装底座使
您的机械设计容易.
26MAX
3
93.5MAX
80
2
+
–
1
K2
G2
2- 6.5
●
di/dt
150 A/μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
各种整流器
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
K2
G2
3
2
16.5
23
23
K1
G1
●
I
T(AV)
55A, I
T(RMS)
86A, I
TSM
1100A
13
~
3-M5
A1K2
（K2）
K1
（A2）
30MAX
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
K2
G2
3
2
1
110TAB
PK
K2
3
2
2
PE
K2
G2
K1
（A2） G1
1
A1K2
（K2）
K1
（A2） G1
1
1
（A1）
21
PD
KK
Unit：
A
■Maximum
额定值
额定值
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
项目
＊Repetitive
峰值反向电压
＊Non-Repetitive
峰值反向电压
重复峰值断态电压
项目
PK55GB40 PD55GB40
KK55GB40 PE55GB40
400
480
400
条件
单相半波，180°
传导，Tc：89℃
单相半波，180°
传导，Tc：89℃
1
周期，
／
2
PK55GB80 PD55GB80
KK55GB80 PE55GB80
800
960
800
额定值
55
86
1000/1100
5000
10
3
3
10
5
单位
V
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
（
I
T AV）
＊Average
通态电流
（
I
T RMS）
＊R.M.S.
通态电流
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
＊Surge
通态电流
＊I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值栅极电压（转）
峰值栅极电压（反向）
通态电流上升率的关键
＊Isolation
击穿电压(R.M.S.)
＊Operating
结温
＊Storage
温度
安装
转矩
大众
安装
（M6）
Terminal（M5）
50Hz/60Hz, 峰值价值，非重复性
价值为一周期的浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di／dt
V
ISO
Tj
Tstg
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A
/
V
／
dI
μs
A.C.1minute
150
2500
−40到＋125
−40到＋125
推荐值2.5-3.9（25-40）
推荐值1.5-2.5（15-25）
4.7（48）
2.7（28）
170
■Electrical
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
／V
GT
V
GD
tgt
dv／dt
I
H
I
L
项目
重复峰值断态电流，最大.
＊Repetitive
峰值反向电流，最大.
＊Peak
通态电压，最大.
Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
非触发门，电压. 最小.
开启时间，最大.
临界速率的断态电压，最小兴起.
保持电流，typ.
Lutching电流，typ.
条件
在V
DRM
,单相半波，Tj＝125℃
在V
DRM
,单相半波，Tj＝125℃
通态电流165A, Tj＝125℃研究所.测量
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝55A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝0.1A
/
V
／
dI
μs
Tj＝125℃, V
D
＝
2 3
V
DRM
,指数波.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳
额定值
10
10
1.35
100
/
3
0.25
10
500
50
100
0.50
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V/
μs
mA
mA
℃
/
W
Rth j-c）＊Thermal阻抗，最大.
（
＊mark：Thyristor
and Diode part. No mark：Thyristor part
三社50海景Blvd.华盛顿港，NY 11050-4618 PH.(516)625-1313传真（516）625-8845电子邮件：semi@sanrex.com
