晶闸管模块
AK55HB120/160
UL;E76102 M）
（
电力ThyristorModule
AK55HB
系列是专为各种整流电路和
电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接和宽
电压额定值高达1600V可用，使电气绝缘安装底座
您的机械设计容易.
隔离安装基座
●
I
T AV）
55A, I
T RMS）
122A, I
TSM
1100A
（
（
●
di/dt 150的A / μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
G2
K2
A2�½�K1
3
1
93.5max
80
26max
3
2
1
K2
G2
2-
φ6.5
13
16.5
23
23
K1
G1
3-M5
110TAB
30max
A1K2
K1 G1
2
21
Unit：A
■Maximum
额定值
符号
V
DRM
符号
（
I
T AV）
（
I
T RMS）
（Tj＝25℃
除非另有规定）
项目
额定值
AK55HB120
1200
条件
单相半波，180°
传导，Tc：85℃
Tc：85℃
1
周期，
／
2
重复峰值断态电压
项目
平均状态电流
R.M.S.通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值门Voltage（Forwad）
峰值门Voltage（Reverse）
通态电流上升率的关键
击穿电压隔离
（R.M.S.）
工作结温
贮藏温度
安装
转矩
大众
AK55HB160
1600
额定值
55
122
1000/1100
5000
10
3
3
10
5
单位
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
50Hz/60Hz, 峰值价值，非reqetitive
价值为一周期的浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
dI
μs
答：C. 1分钟
150
2500
−40
到
＋125
−40
到
＋125
4.7（48）
2.7（28）
170
Mounting（M6）推荐值2.5-3.9（25-40）
Terminal（M5）
推荐值1.5-2.5（15-25）
典型值
■Electrical
特征
符号
I
DRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
tgt
dv/dt
I
H
I
L
项目
重复峰值断态电流，最大.
峰值通态电压最大.
Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
非触发门，电压. 最小.
开启时间，最大.
临界速率的断态电压，最小兴起.
保持电流，typ.
Lutching电流，typ.
条件
在V
DRM
,单相，半波，Tj＝125℃
通态电流测量165A, Tj＝125℃Inst.
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝55A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
dI
μs
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，Exponential
波.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳，每
1 2
模块
／
结到外壳，每1模块
额定值
20
1.50
100/2
0.25
10
500
50
100
0.50
0.25
单位
mA
V
mA /视频
V
μs
V/
μs
mA
mA
℃/W
Rth的J - c）热阻抗，最大.
（
三社
®
50海景Blvd.华盛顿港，NY 11050-4618 PH.(516)625-1313传真（516）625-8845电子邮件：semi@sanrex.com
晶闸管模块
AK55HB120/160
UL;E76102 M）
（
电力ThyristorModule
AK55HB
系列是专为各种整流电路和
电源控制.为了您的电路中的应用.下面的内部连接和宽
电压额定值高达1600V可用，使电气绝缘安装底座
您的机械设计容易.
隔离安装基座
●
I
T AV）
55A, I
T RMS）
122A, I
TSM
1100A
（
（
●
di/dt 150的A / μs
●
dv/dt 500V/μs
（Applications）
AC/DC电机驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
G2
K2
A2�½�K1
3
1
93.5max
80
26max
3
2
1
K2
G2
2-
φ6.5
13
16.5
23
23
K1
G1
3-M5
110TAB
30max
A1K2
K1 G1
2
21
Unit：A
■Maximum
额定值
符号
V
DRM
符号
（
I
T AV）
（
I
T RMS）
（Tj＝25℃
除非另有规定）
项目
额定值
AK55HB120
1200
条件
单相半波，180°
传导，Tc：85℃
Tc：85℃
1
周期，
／
2
重复峰值断态电压
项目
平均状态电流
R.M.S.通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
峰值门功耗
平均功耗门
峰值栅电流
峰值门Voltage（Forwad）
峰值门Voltage（Reverse）
通态电流上升率的关键
击穿电压隔离
（R.M.S.）
工作结温
贮藏温度
安装
转矩
大众
AK55HB160
1600
额定值
55
122
1000/1100
5000
10
3
3
10
5
单位
V
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
50Hz/60Hz, 峰值价值，非reqetitive
价值为一周期的浪涌电流
I
FGM
V
FGM
V
RGM
di/dt
V
ISO
Tj
Tstg
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
dI
μs
答：C. 1分钟
150
2500
−40
到
＋125
−40
到
＋125
4.7（48）
2.7（28）
170
Mounting（M6）推荐值2.5-3.9（25-40）
Terminal（M5）
推荐值1.5-2.5（15-25）
典型值
■Electrical
特征
符号
I
DRM
V
TM
I
GT
/V
GT
V
GD
tgt
dv/dt
I
H
I
L
项目
重复峰值断态电流，最大.
峰值通态电压最大.
Gate Trigger Current/Voltage, 最大.
非触发门，电压. 最小.
开启时间，最大.
临界速率的断态电压，最小兴起.
保持电流，typ.
Lutching电流，typ.
条件
在V
DRM
,单相，半波，Tj＝125℃
通态电流测量165A, Tj＝125℃Inst.
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
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／
I
T
＝55A，
G
＝100mA，
I
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＝
1 2
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，
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/dt＝0.1A/
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μs
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D
＝
2 3
V
DRM
，Exponential
波.
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳，每
1 2
模块
／
结到外壳，每1模块
额定值
20
1.50
100/2
0.25
10
500
50
100
0.50
0.25
单位
mA
V
mA /视频
V
μs
V/
μs
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mA
℃/W
Rth的J - c）热阻抗，最大.
（
三社
®
50海景Blvd.华盛顿港，NY 11050-4618 PH.(516)625-1313传真（516）625-8845电子邮件：semi@sanrex.com
