Accu-F
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/ Accu-P
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薄膜技术
理想电容器
一个真正的电容的非理想特性可以
忽略了在低频率.物理尺寸赋予电感
在电容器和电介质和金属电极产生
电阻的损失，但这些往往是微不足道的影响都在
电路.在无线电通信的频率非常高
(>100MHz)这些影响(>1GHz),和卫星系统
变得很重要.认识到，一个真正的电容
展览电感的除了电阻和阻抗
电容，非常适用于这些高频率的电容
一超低损耗组件，它可以充分的特点
在总重复性的元件之间的所有参数.
直到最近，大多数高频/微波电容器
依据发射陶瓷（瓷）技术.图层
陶瓷电介质材料和金属合金电极糊
互相交错，然后在高温烧结炉.
这项技术展品介质成分的变化
质量（亏损，介电常数和绝缘电阻），
在电极的导电性和变异性变异性体育
大小（影响电感）.另一种薄膜技术
已经制定，几乎消除了这些vari-
元代.正是这种技术已完全纳入
到Accu-F
®
和Accu-P
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提供高频电容
tors参展真正理想的特征.
主要特点的Accu-F
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和Accu-P
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可以总结，
rized如下：
•高纯度的电极非常低，重复
ESR.
•高纯度，低k电介质的击穿场强高，
高绝缘电阻和频率低损失
上述40GHz.
•非常紧，一样的电感尺寸控制，
单位与单位.
•甚高频电容公差紧
信号应用.
这种精度sets除了这些薄膜电容器从
从而使长期Accu已被陶瓷电容
作为指定采用该系列器件，一
，缩写为“准确”.
薄膜技术
薄膜技术通常用于生产半
导体设备.在过去的二十年里，这项技术
已开发大幅增加，无论是在性能和
过程控制.今天的技术使能线的定义
下面1μm,和层厚度控制在100Å
(10
-2
μm).应用此技术的目的是制造
电容器，使组件的开发
其中电气和物理性能可以紧紧
控制.
在AVX薄膜生产设施包括：
• 类别 1000干净的房间，下有工作区
对类别 100,层流罩（以下100颗粒
每立方英尺比0.5μm).大
•高真空金属高纯度沉积系统
电极建设.
•光刻设备线的定义下来
2.0μm准确性.
•等离子增强CVD各种介质沉积
系统蒸发散(CVD=Chemical气相沉积）.
•精度高，微处理器控制的切割saws
对于芯片分离.
•高速，高精确度排序，以确保严格
宽容的坚持.
1
终止
氧化铝
电极
海豹
电极
介电
氧化铝
ACCU-P
®
电容器
6
