AMI半导体，Inc.
ULP Memory Solutions
670 North McCarthy Blvd. Suite 220
Milpitas, CA 95035
PH: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770
N04L1630C2B
超前信息
4Mb超低功耗SRAM的异步CMOS
256K × 16位POWER省电技术
TM
概述
该N04L1630C2B是一个集成的内存
装置，包含一4 Mbit静态随机存取
作为262,144词由16 bits.记忆
该装置的设计和制作中，采用AMI
安森美半导体的先进技术，CMOS
同时提供高速的性能和超低
权力.该器件的工作能够与两家芯片
(CE1和CE2)控制和输出使(OE)到
可以很容易地扩展内存.控制字节
(UB和LB)允许上下个字节
单独访问，也可以用来
取消选择该设备.是的N04L1630C2B
优化的最终是在低功耗和
适合各种应用在超低
权力，如医疗应用的关键，
备用电池和功率敏感的手持
设备.独特的页模式操作保存
经营能力，同时改善性能
超过标准SRAM.该装置可以操作
过了很宽的温度范围-40
o
C到
+85
o
C并在现有标准的JEDEC
包与其他标准兼容256Kb x
16静态存储器.
特点
•宽电源电压范围
2.7到3.6伏特
•极低的待机电流
1uA（典型）
•极低的工作电流
2.0mA在1µs（典型）
•非常低的页面模式工作电流
0.8mA在1µs（典型）
•简单的内存控制
双芯片使(CE1和CE2)
字节的控制独立字节操作
输出内存扩展启用(OE)
•非常快的输出使能访问时间
30ns OE访问时间
55ns随机存取时间
30ns页模式访问时间
•自动断电待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
• RoHS符合TSOP和BGA包
产品系列
部件号
N04L1630C2BB2
包装类型
48-BGA绿
经营
温度
-40
o
C到+85
o
C
电源
供应(Vcc)
2.7V - 3.6V
速度
选项
55ns
70ns
待机
经营
当前(I
SB
),当前(Icc),
典型
典型
1µA
2 mA @ 1MHz
N04L1630C2BT2 44-TSOP II绿
（商务部＃14-02-042 ReI I ECN# 01-1374
本装置的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.amis.com.
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