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N04L1618C2A
4Mb超低功耗异步CMOS SRAM
256Kx16位
概述
该N04L1618C2A是一个集成的内存
装置，包含一4 Mbit静态随机存取
作为262,144词由16 bits.记忆
该装置的设计和制作中，采用
纳安的先进技术，CMOS
同时提供高速的性能和超低
权力.基本设计是一样的
纳安的N04L163WC1A,而被加工
工作在更高的电压.该器件的工作
两个芯片使(CE1和CE2)控制和
输出使能(OE)使其易于记忆
扩张.字节控制(UB和LB)让
上下要访问的字节
独立也可以用来取消
该设备.是最优的N04L1618C2A
在低功耗是至关重要的各种应用
如电池备份和手持设备.
该器件可工作在很宽
温度范围-40
o
C到+85
o
C并
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准256Kb x 16静态存储器
特点
•单宽电源电压范围
1.65到2.2伏特
•极低的待机电流
0.5µA在1.8V（典型）
•极低的工作电流
0.7mA在1.8V和1µs（典型）
•页面模式工作电流低
0.5mA在1.8V和1µs（典型）
•简单的内存控制
双芯片使(CE1和CE2)
字节的控制独立字节操作
输出内存扩展启用(OE)
•低电压数据保留
Vcc = 1.2V
•非常快的输出使能访问时间
25ns OE访问时间
•自动断电待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑，节省空间BGA 包装利用，
能
产品系列
部件号
包装类型
经营
温度
电源
供应(Vcc)
速度
70ns @ 1.8V
-40
o
C到+85
o
C
1.65V - 2.2V
85ns @ 1.65V
0.5
µA
0.7 mA @
1MHz
待机
经营
当前(I
SB
),当前(Icc),
典型
典型
N04L1618C2AB
48 - BGA
N04L1618C2AB2 48-BGA绿
（商务部＃14-02-016 REV的G ECN# 01-1266)
本装置的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.nanoamp.com.
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