NanoAmp Solutions, Inc.
670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035
ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770
www.nanoamp.com
N02M083WL1A
2Mb超低功耗异步医疗CMOS SRAM
256Kx8位
概述
该N02M083WL1A是一个集成的内存
设备适用于非生命支持（班1或2)
医疗应用.该设备包括一个2
Mbit静态随机存取记忆体组织成
由262,144 8 bits.词的设备设计
和制作中，采用纳安的先进CMOS
技术与可靠性inhancements
医疗用户.基本设计是一样的
纳安的N02M0818L2A,进一步增强了
可靠性处理生命支持（班3)
医疗应用.该器件二
芯片使(CE1和CE2)控制和输出
使(OE)使其易于记忆体扩充.
该N02M083WL1A是各种最佳
应用在低功耗是至关重要的，例如
电池备份和手持设备.该装置
可以工作在很宽的温度范围
-40
o
C到+85
o
C并在现有的JEDEC
与其他标准兼容的标准包
256Kb x 8静态存储器
特点
•单宽电源电压范围
2.3到3.6伏特
•低待机电流
3µA最大的3.6V
•极低的工作电流
2 mA在3.6V和1Mhz（典型）
•非常低的页面模式工作电流
0.5mA在3.6V和1Mhz（典型）
•简单的内存控制
双芯片使(CE1和CE2)
输出内存扩展启用(OE)
•低电压数据保留
Vcc = 1.8V
•自动断电待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
待机
当前
(I
SB
), 最大
3.0 µA
经营
当前(Icc),
最大
2.5 mA @ 1MHz
部件号
N02M083WL1AN
包装类型
32 - STSOP I
经营
温度
-40
o
C到+85
o
C
电源
供应(Vcc)
2.3V - 3.6V
速度
N02M083WL1AD的良好电路小片
70ns @ 2.3V
引脚配置
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
我们
CE1, CE2
OE
I / O
0
I / O
7
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
电源
地面
N02M083WL1A
STSOP
库存号23207-01 11/01/02
本装置的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.nanoamp.com.
1
