NanoAmp Solutions, Inc.
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N02L163WN1A
2Mb超低功耗异步CMOS SRAM
128K × 16bit
概述
该N02L163WN1A是一个集成的内存
装置，包含一2 Mbit静态随机存取
作为131,072词由16 bits.记忆
该装置的设计和制作中，采用
纳安的先进技术，CMOS
同时提供高速的性能和超低
权力.该器件采用单芯片
使(CE)控制和输出使能(OE)到
可以很容易地扩展内存.控制字节
(UB和LB)允许上下个字节
单独访问.是的N02L163WN1A
各种应用的最佳地方低功率为
如电池备份和关键手持
设备.该器件可工作在很宽
温度范围-40
o
C到+85
o
C并
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准128Kb x 16静态存储器.
特点
•单宽电源电压范围
2.3到3.6伏特
•极低的待机电流
2.0µA在3.0V（典型）
•极低的工作电流
2.0mA在3.0V和1µs（典型）
•非常低的页面模式工作电流
0.8mA在3.0V和1µs（典型）
•简单的内存控制
单芯片使能(CE)
字节的控制独立字节操作
输出内存扩展启用(OE)
•低电压数据保留
Vcc = 1.8V
•非常快的输出使能访问时间
30ns OE访问时间
•自动断电待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑，节省空间BGA 包装利用，
能
产品系列
部件号
N02L163WN1AB
N02L163WN1AT
N02L163WN1AB1
N02L163WN1AT2
包装类型
48 - BGA
44 - TSOP II
48 - BGA Pb-Free
44 - TSOP II绿
55ns @ 2.7V
-40
o
C到+85
o
C 2.3V - 3.6V 70ns @ 2.3V
2
µA
2 mA @ 1MHz
经营
温度
电源
供应
(Vcc)
速度
待机
经营
当前(I
SB
),当前(Icc),
典型
典型
（商务部＃14-02-014 REV的L ECN# 01-1000)
本装置的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.nanoamp.com.
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