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N02L083WC2A
2Mb超低功耗异步CMOS SRAM
256K × 8位
概述
该N02L083WC2A是一个集成的内存
装置，包含一2 Mbit静态随机存取
作为262,144词由8 bits.的记忆
设备的设计和制作中，采用
纳安的先进技术，CMOS
同时提供高速的性能和超低
权力.该器件的工作能够与两家芯片
(CE1和CE2)控制和输出使(OE)到
可以很容易地扩展内存.该
N02L083WC2A是各种应用的最佳选择
在低功耗是关键，如备用电池
和手持设备.该装置可以操作
过了很宽的温度范围-40
o
C到
+85
o
C并在现有标准的JEDEC
包与其他标准兼容256Kb x
8静态存储器
特点
•单宽电源电压范围
2.3到3.6伏特
•极低的待机电流
2.0µA在3.0V（典型）
•极低的工作电流
2.0mA在3.0V和1µs（典型）
•非常低的页面模式工作电流
0.8mA在3.0V和1µs（典型）
•简单的内存控制
双芯片使(CE1和CE2)
输出内存扩展启用(OE)
•低电压数据保留
Vcc = 1.8V
•非常快的输出使能访问时间
30ns OE访问时间
•自动断电待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
产品系列
部件号
N02L083WC2AT
N02L083WC2AN
包装类型
32 - TSOP I
32 - STSOP I
2
µA
2 mA @ 1MHz
经营
电源
温度供应(Vcc)
速度
待机
经营
当前(I
SB
),当前(Icc),
典型
典型
55ns @ 2.7V
-40
o
C到+85
o
C 2.3V - 3.6V 70ns @ 2.3V
N02L083WC2AT2 32 - TSOP I绿
N02L083WC2AN2 32 - STSOP I绿
引脚配置
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
17
我们
CE1, CE2
OE
I / O
0
I / O
7
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
数据输入/输出
电源
地面
N02L083WC2A
STSOP -Ⅰ，TSOP-I
（商务部＃14-02-015 REV的E ECN# 01-0998)
本装置的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.nanoamp.com.
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