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N01L163WN1A
1Mb超低功耗异步CMOS SRAM
64K × 16位
概述
该N01L163WN1A是一个集成的内存
装置，包含一1 Mbit静态随机存取
作为65,536词由16 bits.的记忆
设备的设计和制作中，采用
纳安的先进技术，CMOS
同时提供高速的性能和超低
权力.该器件采用单芯片
使(CE)控制和输出使能(OE)到
可以很容易地扩展内存.控制字节
(UB和LB)允许上下个字节
单独访问.是的N01L163WN1A
各种应用的最佳地方低功率为
如电池备份和关键手持
设备.该器件可工作在很宽
温度范围-40
o
C到+85
o
C并
在兼容JEDEC标准封装
与其他标准64Kb x 16静态存储器.
特点
•单宽电源电压范围
2.3到3.6伏特
•极低的待机电流
2.0µA在3.0V（典型）
•极低的工作电流
2.0mA在3.0V和1µs（典型）
•非常低的页面模式工作电流
0.8mA在3.0V和1µs（典型）
•简单的内存控制
单芯片使能(CE)
字节的控制独立字节操作
输出内存扩展启用(OE)
•低电压数据保留
Vcc = 1.8V
•非常快的输出使能访问时间
30ns OE访问时间
•自动断电待机模式
• TTL兼容的三态输出驱动器
•紧凑，节省空间BGA 包装利用，
能
产品系列
部件号
N01L163WN1AB
N01L163WN1AT
N01L163WN1AB2
包装类型
48 - BGA
44 - TSOP II
48 - BGA绿
55ns @ 2.7V
-40
o
C到+85
o
C 2.3V - 3.6V 70ns @ 2.3V
2
µA
2 mA @ 1MHz
经营
温度
电源
供应
(Vcc)
速度
待机
经营
当前(I
SB
),当前(Icc),
典型
典型
N01L163WN1AT2 44 - TSOP II绿
引脚配置
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I/O
0
I/O
1
I/O
2
I/O
3
VCC
VSS
I/O
4
I/O
5
I/O
6
I/O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
PIN
ONE
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
UB
LB
I/O
15
I/O
14
I/O
13
I/O
12
VSS
VCC
I/O
11
I/O
10
I/O
9
I/O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I/O
8
I/O
9
V
SS
V
CC
2
OE
UB
I/O
10
I/O
11
I/O
12
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I/O
1
I/O
3
I/O
4
I/O
5
WE
A
11
6
NC
I/O
0
I/O
2
V
CC
V
SS
I/O
6
I/O
7
NC
引脚说明
引脚名称
A
0
-A
15
我们
CE
OE
LB
UB
I / O
0
I / O
15
NC
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能输入
芯片使能输入
输出使能输入
低字节使能输入
高字节使能输入
数据输入/输出
不接
电源
地面
N01L163WN1A
TSOP
I/O
14
I/O
13
I/O
15
NC
NC
A
8
48引脚BGA（上）
6 x 8 mm
（商务部＃14-02-011 REV的G ECN# 01-1272)
本装置的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.nanoamp.com.
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