技术数据 NPN大功率硅晶体管 合格的每MIL-PRF-19500/488 设备 2N5671 2N5672 合格等级 JAN JANTX JANTXV 最大额定值 额定值 集电极发射极电压 集电极基极电压 发射极，基极电压 基极电流 集电极电流 总功率耗散 符号 V CEO V CBO V EBO I B I C P T T op , T stg 符号 R θ JC 2N5671 90 120 2N5672 120 150 单位 Vdc Vdc Vdc Adc Adc W W 0 C 单位 C / W @ T A = +25 0 C (1) @ T C = +25 0 C (2) 操作及储存温度范围 7.0 10 30 6.0 140 -65到+200 最大. 1.25 热特性 特征 热阻，Junction-to-Case 1)减额线性34.2 mW/ 0 C为T A > +25 0 C 2) 减免线性800 mW/ 0 C为T C > +25 0 C 0 TO-3* (TO-204AA) *见附录A 包装 外形 电气特性(T C = 25 0 C除非另有说明） 特征 符号 最小. 最大. 单位 开关特性 集电极发射极击穿电压 I C = 200 mAdc 集电极发射极击穿电压 I C = 200 mAdc 集电极发射极击穿电压 I C = 200 mAdc 集电极发射极截止电流 V CE = 80 Vdc 集电极发射极截止电流 V CE = 110 Vdc, V BE = 1.5 Vdc V CE = 135 Vdc, V BE = 1.5 Vdc 2N5671 2N5672 2N5671 2N5672 2N5671 2N5672 V (BR) CEO 90 120 110 140 120 150 10 12 10 Vdc V (BR) CER Vdc V (BR) CEX I CEO Vdc mAdc mAdc 2N5671 2N5672 I CEX 6湖芯片间隔，劳伦斯，MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 794-1666 /传真：(978) 689-0803 120101 佩奇1的2
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