APT8014L2FLL 800V 52A 0.140 W 电力MOS 7 TM FREDFET TO-264 最大 电力MOS 7 TM 是一个低损耗，高电压，N沟道新一代 增强型功率MOSFET.这两种传导和开关 损失是针对与电力MOS 7 TM 通过显着降低R DS(ON) 和Q g .电力MOS 7 TM 结合更低的传导和开关损耗 随着异常快速开关速度与APT的固有 专利金属闸极结构. •降低输入电容 •下米勒电容 •下闸电荷，Qg 最大额定值 符号 V DSS I D I DM V GS V GSM P D T J ,T STG T L I AR E AR E AS 参数 漏源电压 •增加功耗 •容易驾驶 •热门TO-264 最大 包装 D G S 所有额定值：T C = 25°C除非另有规定. APT8014L2FLL 单位 伏特 Amps 连续漏电流@ T C = 25°C 漏电流脉冲 1 栅源电压连续 栅源电压暂态 总功率耗散@ T C = 25°C 线性降额因子 工作和存储结温范围 焊接温度：0.063"为10段以上海市为例. 雪崩电流 1 重复性雪崩能量 单脉冲雪崩能量 L A IC N H C E离子 T T E A C M N R A O V F D N A I 52 208 ±30 ±40 890 7.12 300 52 50 （重复和不重复） 1 4 800 伏特 瓦 W/°C °C Amps mJ -55到150 3200 静电特性 符号 BV DSS I D(on) R DS(on) I DSS I GSS V GS(th) 特色/测试条件 漏源击穿电压(V GS = 0V, I D = 250µA) 关于国家漏极电流 2 最小 TYP 最大 单位 伏特 Amps 800 52 0.140 250 1000 ±100 3 5 (V DS > I D(on) x R DS(on) 最大, V GS = 10V) 2 漏源导通电阻 (V GS = 10V, 0.5 I D[Cont.] ) Ohms µA nA 伏特 050-7104 Rev- 9-2001 栅极电压零漏电流(V DS = V DSS , V GS = 0V) 栅极电压零漏电流(V DS = 0.8 V DSS , V GS = 0V, T C = 125°C) 栅源漏电流(V GS = ±30V, V DS = 0V) Gate Threshold Voltage (V DS = V GS , I D = 5mA) 注意： 这些设备是敏感的静电放电.正确处理程序应遵循. 亚太网站- http://www.advancedpower.com USA 欧洲 405 S.W.哥伦比亚芯片间隔 舍曼de Magret 德，俄勒冈州97702-1035 F-33700 Mérignac的-法国 电话：(541) 382-8028 电话：(33) 5 57 92 15 15 传真：(541) 388-0364 传真：(33) 5 56 47 97 61
|
|
