GS71108ATP/J/SJ/U
SOJ, TSOP, FP-BGA
商业温度
工业温度
特点
•快速存取时间：7, 8, 10, 12 ns
• CMOS低功耗工作：140/120/95/80最低mA
周期时间
•单3.3 V电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•全静态操作
•工业温度选项：
–40°
到85°C
• 包装排队
J: 400 mil, 32-pin SOJ 包装
TP: 400 mil, 32-pin TSOP型II 包装
SJ: 300 mil, 32-pin SOJ 包装
U: 6 mm x 8 mm细间距球栅阵列包装
128K x 8
1Mb异步SRAM
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
DQ
1
DQ
2
V
DD
V
SS
DQ
3
DQ
4
我们
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
7, 8, 10, 12 ns
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
32
31
30
29
A
4
A5
A6
A
7
OE
DQ
8
DQ
7
V
SS
V
DD
DQ6
DQ
5
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
SOJ＆TSOP-II 128K x 8-Pin配置
32-pin
400 mil SOJ
&
300 mil SOJ
&
400 mil TSOP II
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
说明
该GS71108A是一种高速静态RAM举办CMOS
由131,072 8静态设计bits.话无需
外部时钟或定时选通.经营上的GS
单3.3 V电源和所有输入和输出TTL-
兼容.该GS71108A可在一6 mm x 8 mm
精细间距BGA 包装，以及在300 mil和400 mil
SOJ和400 mil TSOP Type-II包.
软件包J, TP,和SJ
精细间距BGA 128K x 8-Bump配置
1
A
NC
DQ
1
DQ
2
V
SS
V
DD
DQ
3
DQ
4
NC
2
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
10
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
A
14
A
15
A
16
4
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
11
A
12
A
13
5
A
7
CE
NC
NC
NC
DQ
5
我们
A
9
6
NC
DQ
8
DQ
7
V
DD
V
SS
DQ
6
A
8
NC
引脚说明
符号
A
0
–A
16
DQ
1
–DQ
8
CE
我们
OE
V
DD
V
SS
NC
说明
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
+3.3 V电源
地面
无连接
B
C
D
E
F
G
H
包装 U
6 mm x 8 mm, 0.75 mm凸点间距
顶视图
冯：1.04a 10/2002
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© 2001, Giga半导体，Inc.
引用的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.gsitechnology.com.
