GS71024T/U
TQFP, FP-BGA
商业温度
工业温度
特点
•快速存取时间：8, 9, 10, 12, 15 ns
• CMOS低功率的操作：在190/170/160/130/110 mA
最小周期时间.
•单3.3 V ± 0.3 V电源
•所有输入和输出为TTL兼容
•全静态操作
•工业温度选项：–40到85°C
• 包装
T: 100-pin TQFP 包装
U: 6 mm x 8 mm细间距球栅阵列
GT: Pb-Free 100-pin TQFP可用
64K x 24
1.5Mb异步SRAM
1
A
B
C
D
E
F
G
H
2
3
4
8, 9, 10, 12, 15 ns
3.3 V V
DD
中心V
DD
和V
SS
精细间距BGA凹凸配置
5
6
DQ
DQ
DQ
V
SS
V
DD
DQ
DQ
DQ
A
3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
15
A
2
CE2
CE1
A
5
A
7
A
9
A
11
A
14
A
1
我们
OE
A
4
A
6
A
8
A
10
A
13
A
0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
A
12
DQ
DQ
DQ
V
DD
V
SS
DQ
DQ
DQ
说明
该GS71024是一种高速CMOS组织为静态RAM
由65,536 24静态设计bits.词不再需要
外部时钟或定时选通.经营上的GS71024
单3.3 V电源和所有输入和输出TTL-
兼容.该GS71024可在一6 mm x 8 mm精细
间距BGA 包装，以及在一100-pin TQFP 包装.
6 mm x 8 mm, 0.75 mm凸点间距
顶视图
引脚说明
符号
A
0
到A
15
X / Y轴
我们
CE1, CE2
V
DD
说明
地址输入
输入向量
写使能输入
芯片使能输入
+3.3 V电源
符号
DQ
1
到DQ
24
V / S
OE
—
V
SS
说明
数据输入/输出
地址多路复用器控制
输出使能输入
—
地面
框图
A0
行
解码器
地址
输入
A14
A15
X/Y
V/S
CE1
CE2
WE
OE
内存阵列
1024 x 1536
0
1
Q
列
解码器
控制
I / O缓冲器
DQ1
DQ24
冯：1.05 11/2004
1/13
© 1999, GSI技术
引用的规格如有变更，恕不另行通知.有关最新的文件见http://www.gsitechnology.com.
